Эпитаксия из паровой фазы гидридов (HVPE)
OIPT является одним из мировых лидеров в производстве систем для эпитаксии из паровой фазы гидридов и производства новых составных полупроводников на основе GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN. Эти материалы имеют разнообразные применения: твердотельное освещение, коротковолновая оптоэлектроника, высокочастотная мощностная электроника...
CrystalFlex
OIPT’s multi wafer HVPE reactor providing superb epitaxial growth control
- Flexible growth rates, from 1 µm/hour (for submicron layer
- control) to1000 µm/hour (for fast buffer layer growth)
- Low dislocation density
- Wide range of layer thickness up to 100 µm
- Cost effective templates for device manufacturing
- P and N type doped materials are available