Атомно-слоевое осаждение (ALD)
Атомно-слоевое осаждение (ALD) предоставляет широкие возможности прецизионно контролируемого осаждения ультратонких слоев для приложений нанометровых и суб-нанометровых областях с равномерным покрытием структур с высоким аспектным соотношением.
FlexAL
Семейство систем FlexAL компании Oxford Instruments Plasma Technology предоставляет новые возможности в разработке наноразмерных структур и приборов, реализуя процессы атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой и термическое ALD в составе одной системы.
Стандартные процессы, реализуемые на системе FlexAL:
- Осаждение Al2O3 в процессе с удаленной плазмой при температурах вплоть до комнатной
- Плазменный процесс ALD HfO2
- Термический процесс ALD HfO2
- Осаждение TiN в процессе с удаленной плазмой
OpAL
OpAL представляет собой уникальную для современного рынка систему термического ALD с возможностью легкой модернизации до плазменного процесса ALD и позволяет проводить оба вида осаждения в одной компактной установке.
Химические соединения, доступные для термического и/или плазменного осаждения:
- Оксиды: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
- Нитриды: TiN, Si3N4
- Металлы: Ru, Pt